集群發力、向高攀登，第三代半導體(tǐ)産業動能強勁-中(zhōng)國電子科技集團有限公司

　　“本批訂單共計96台套，将分(fēn)多批次發貨。”新年伊始，一(yī)批第三代半導體(tǐ)碳化矽外(wài)延裝備從長沙發往用戶現場，勾勒出中(zhōng)國電科第三代半導體(tǐ)産業發展欣欣向榮的圖景。

　　碳化矽外(wài)延生(shēng)長設備是碳化矽器件制造專用設備中(zhōng)最重要的一(yī)類。通過不懈鑽研，電科裝備48所還推出碳化矽用立式低壓化學氣相沉積設備，成功攻克高潔淨度環境獲得、高穩定壓力控制、高精度溫度控制等技術難題。

　　千裏之外(wài)的山西，中(zhōng)國電科（山西）碳化矽材料産業基地生(shēng)産車(chē)間緊張忙碌，一(yī)排排3米高碳化矽單晶生(shēng)長設備表面平靜，裏面2000℃以上的高溫中(zhōng)，正進行着驚人的化學反應——一(yī)個個碳化矽晶錠正在快速生(shēng)長。

　　“碳化矽單晶制備是全球性難題，而高穩定的晶體(tǐ)生(shēng)長工(gōng)藝則是其中(zhōng)最核心的一(yī)環。”電科材料技術專家表示，深耕碳化矽材料和大(dà)尺寸單晶“賽道”，團隊着力突破6英寸、8英寸碳化矽産品的技術難題，順利突破6英寸N型碳化矽襯底産業化技術，實現6英寸産品規模化生(shēng)産，産品良率等各項指标得到有效改善，産量産能再創新高，突破大(dà)尺寸單晶制備等關鍵難題，順利研制出8英寸碳化矽襯底，并實現小(xiǎo)批量生(shēng)産。

　　在不斷刷新材料、裝備研制高度的同時，中(zhōng)國電科持續拓寬器件應用廣度。

　　“這是一(yī)個1200伏、100安的碳化矽半導體(tǐ)器件，電能的處理和控制，靠的就是這個。”手持小(xiǎo)小(xiǎo)的器件，技術專家介紹道。随着新能源汽車(chē)市場快速發展，碳化矽材料研制的器件、模塊在高功率、高頻(pín)、高壓、高溫場景下(xià)的優勢愈發明顯。相同規格下(xià)碳化矽MOSFET的尺寸隻有矽基産品的1/10。與矽基IGBT相比，使用碳化矽MOSFET器件，系統能量損耗可以降低70%。

　　瞄準新能源車(chē)、智能電網、光伏發電、軌道交通等産業需求，國基南(nán)方攻克高效、高頻(pín)、高功率寬禁帶半導體(tǐ)技術的電力電子器件重大(dà)關鍵技術難題，在碳化矽電力電子器件等領域取得系列重要創新成果。特别是碳化矽MOSFET對标國際先進，突破多項關鍵工(gōng)藝，推動建立材料外(wài)延、器件設計、芯片制造、模塊封裝的産業鏈布局，在國内率先建立了6英寸碳化矽器件工(gōng)藝平台，率先實現多型号多尺寸的産品量産和應用，滿足百萬輛車(chē)載充電裝置應用需求，有力保障汽車(chē)電子産業鏈供應鏈安全。

　　潛心深耕第三代半導體(tǐ)“賽道”，中(zhōng)國電科科研人員(yuán)以實際行動踐行黨的二十大(dà)精神，立足國家所需、行業所趨、電科所能，持續加強共性基礎技術研究攻關，努力爲國家第三代半導體(tǐ)技術創新與産業高質量發展作出新的更大(dà)貢獻。