第三代半導體(tǐ)産業創新發展大(dà)會在南(nán)京召開(kāi)-中(zhōng)國電子科技集團有限公司
9月6日，南(nán)京市人民政府、中(zhōng)國電科指導，國家第三代半導體(tǐ)技術創新中(zhōng)心主辦的第三代半導體(tǐ)産業創新發展大(dà)會在南(nán)京召開(kāi)。江蘇省政府黨組成員(yuán)趙岩，南(nán)京市市長陳之常，中(zhōng)國電科總經理、黨組副書(shū)記陳錫明出席會議并緻辭。
趙岩表示，江蘇堅持把第三代半導體(tǐ)産業作爲未來産業發展的重點方向，目前已經形成了全産業鏈布局。要深入學習貫徹習近平總書(shū)記對江蘇工(gōng)作重要講話(huà)精神，加快推動江蘇省第三代半導體(tǐ)技術創新與産業高質量發展，爲打造具有全球影響力的産業科技創新中(zhōng)心作出積極貢獻。着力加強關鍵核心技術攻關，努力産出更多基礎性、前沿性、颠覆性技術成果；着力強化重大(dà)科技創新平台建設，加快構建各類創新主體(tǐ)和創新資(zī)源有效協同的聯合創新體(tǐ)系；着力推動産業高質量發展，加快科技成果轉化和産業化，推進産業強鏈補鏈延鏈；着力營造優良創新生(shēng)态，推動産學研用金深度融合，加強高層次人才引進和培育，打造第三代半導體(tǐ)領域創新和人才高地。
陳之常表示，南(nán)京将錨定産業強市建設戰略部署，發揮科技人才優勢，積極搶占未來産業新賽道，着力推動關鍵技術取得新突破、産業能級實現新躍升、生(shēng)态支撐達到新水平，加快打造第三代半導體(tǐ)産業高地。希望與中(zhōng)國電科集團全面深化合作，攜手推進國家第三代半導體(tǐ)技術創新中(zhōng)心（南(nán)京）建設，聚力打造生(shēng)态化集群式發展樣本，共同書(shū)寫央地合作、互利共赢的嶄新篇章。
陳錫明表示，第三代半導體(tǐ)作爲全球半導體(tǐ)技術和産業前沿領域，将有力推動我(wǒ)(wǒ)國戰略性新興産業布局和發展。中(zhōng)國電科希望與地方政府、行業專家、業界同行開(kāi)展緊密合作，加強原創技術供給，強化産學研用聯合，推動跨學科、跨領域協同創新，補短闆和鍛長闆共同發力，科技和産業深度融合，開(kāi)放(fàng)和自主相輔相成，創新體(tǐ)系和體(tǐ)系性創新相互促進，共同構築自主創新的“核心圈”和産業發展的“朋友圈”。
國家第三代半導體(tǐ)技術創新中(zhōng)心在科技部的指導下(xià)、在各地政府的支持下(xià)，與相關高校、科研院所、行業企業等密切協同，布局深圳、南(nán)京、蘇州、山西、湖南(nán)、北(běi)京六個區域平台，聚焦第三代半導體(tǐ)全産業鏈，開(kāi)展協同攻關，突破關鍵共性技術，取得了一(yī)批階段性、标志(zhì)性成果，可持續發展的創新生(shēng)态初步形成。
經過兩年砥砺奮進，國家第三代半導體(tǐ)技術創新中(zhōng)心（南(nán)京）科研團隊聚焦新能源汽車(chē)、光伏、軌道交通、高壓輸變電、智能電網等賽道，攻堅“新能源汽車(chē)用高電流密度高可靠碳化矽MOSFET産品”和“面向智能電網和高鐵應用的高壓大(dà)功率碳化矽電力電子器件”，收獲一(yī)批重大(dà)成果。
碳化矽MOSFET芯片是新能源汽車(chē)車(chē)載充電機的“心髒”，可大(dà)幅提高新能源汽車(chē)充電效率。科研團隊突破高可靠芯片設計等關鍵技術，形成大(dà)電流碳化矽MOSFET器件系列産品，研制出電驅用碳化矽功率模塊系列産品。目前，碳化矽MOSFET芯片已在國内頭部車(chē)企車(chē)載電源系統中(zhōng)使用超過1300萬隻，保障近200萬輛汽車(chē)需求。自主研發的高壓碳化矽器件及功率模塊，在全碳化矽柔直變電站投入示範應用。生(shēng)産國内首個邏輯、驅動、功率開(kāi)關全氮化镓半橋功率芯片，爲更高工(gōng)作頻(pín)率、高可靠電源應用奠定基礎。
大(dà)會同步召開(kāi)國家第三代半導體(tǐ)技術創新中(zhōng)心專家委員(yuán)會會議、寬禁帶半導體(tǐ)器件與集成技術全國重點實驗室學術委員(yuán)會會議，聚焦行業技術前沿、産業上下(xià)遊需求，分(fēn)享科技陣地前沿，探讨産業發展。